關于氫(qing)脆的機理，尚無統一認識。各種理論的共同點是：氫原子通過應力誘導擴散在高應力區富集，只有當富集的氫濃度達到臨界值C.時，使材料斷裂應力σ降低，才發生脆斷。目前較為普遍的觀點有以下幾種。

1. 氫的擴散機理

  裂紋尖(jian)端(duan)處于陰(yin)極(ji)區(qu)，由于陰(yin)極(ji)反應(ying)的(de)(de)(de)結(jie)果，使(shi)介(jie)質(zhi)中(zhong)的(de)(de)(de)氫(qing)(qing)(qing)離子(zi)獲得電子(zi)后還(huan)原成氫(qing)(qing)(qing)原子(zi)，一(yi)部分氫(qing)(qing)(qing)原子(zi)進一(yi)步結(jie)合成氫(qing)(qing)(qing)氣(qi)后逸出，另(ling)一(yi)部分氫(qing)(qing)(qing)原子(zi)向金屬內(nei)部擴(kuo)(kuo)散。原子(zi)氫(qing)(qing)(qing)在金屬中(zhong)的(de)(de)(de)擴(kuo)(kuo)散，有濃(nong)差(cha)擴(kuo)(kuo)散和(he)應(ying)力擴(kuo)(kuo)散。裂紋尖(jian)端(duan)高(gao)應(ying)力塑變區(qu)晶格缺(que)陷(xian)的(de)(de)(de)堆積，產生氫(qing)(qing)(qing)與(yu)金屬中(zhong)缺(que)陷(xian)交互作(zuo)用的(de)(de)(de)陷(xian)捕(bu)效應(ying)，使(shi)氫(qing)(qing)(qing)在此區(qu)域(yu)內(nei)產生高(gao)濃(nong)度的(de)(de)(de)集中(zhong)，從而使(shi)該(gai)區(qu)域(yu)的(de)(de)(de)金屬脆化。

2. 氫(qing)壓理論

  在H₂環境中，H₂分解成H進入金屬，其濃度C_H和／P成正比，反過來，如果溶解在金屬中的H進入某些特殊區域（如夾界或第二相界面，空位團），就會復合成H₂,即2H→H₂,這時該處的H₂壓力P就和C²_H成正比，但由于H₂不是理想氣團，壓力較高時要用逸度f代替，即

f=(CH/S)²=C²_Hexp(-2ΔH/RT)（1.5)

當局部區域C_H很高時，按式（1.5)算出的逸度換算成壓力后等于原子鍵合力σ_th,就會使局部地區的原子鍵斷裂而形成微裂紋。在高逸度電解充氫時，充氫過程中就會產生氫鼓泡（出現在表層）或氫致微裂紋，它和是否存在外加應力無關，也不需要滯后時間（即不需要應力誘導擴散、富集），這完全是氫壓力P等于σ_th,從而使原子鍵斷裂而形成微裂紋。氫壓理論成功地解釋了電解充氫過程中產生的裂紋、鋼中白點以及鋼在硫化氫溶液中產生的裂紋。但對于不可逆損傷，如氫致可逆塑性損失以及氫致滯后開裂，僅僅用氫壓理論無法解釋。

3. 氫降低表面能理論

氫(qing)降(jiang)低(di)(di)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)能理(li)論是(shi)N.Petch和(he)P.Stabls在(zai)1952年提(ti)出的(de)(de)(de)(de)。材(cai)(cai)(cai)料(liao)斷(duan)裂(lie)時(shi)(shi)將形(xing)成(cheng)兩個新的(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)，對于完(wan)全脆性(xing)的(de)(de)(de)(de)材(cai)(cai)(cai)料(liao)，斷(duan)裂(lie)時(shi)(shi)所(suo)(suo)需的(de)(de)(de)(de)外(wai)力做功等(deng)于形(xing)成(cheng)新的(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)所(suo)(suo)需的(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)能。當裂(lie)紋(wen)尖端(duan)區(qu)處(chu)(chu)于陰(yin)極(ji)狀態時(shi)(shi)，由于陰(yin)極(ji)反應的(de)(de)(de)(de)結果，表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)將產生大量(liang)的(de)(de)(de)(de)氫(qing)原(yuan)(yuan)子(zi)，根據(ju)斷(duan)裂(lie)力學的(de)(de)(de)(de)觀點，處(chu)(chu)于高應力裂(lie)紋(wen)尖端(duan)的(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)會(hui)有(you)效地促使(shi)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)吸(xi)(xi)附氫(qing)原(yuan)(yuan)子(zi)，吸(xi)(xi)附在(zai)材(cai)(cai)(cai)料(liao)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)氫(qing)會(hui)使(shi)材(cai)(cai)(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)能降(jiang)低(di)(di)，使(shi)斷(duan)裂(lie)所(suo)(suo)需的(de)(de)(de)(de)臨界外(wai)應力降(jiang)低(di)(di)，引起氫(qing)脆。它沒有(you)考(kao)慮塑(su)性(xing)變(bian)形(xing)功，因而(er)對金屬(shu)材(cai)(cai)(cai)料(liao)是(shi)不適用(yong)的(de)(de)(de)(de)。到了(le)20世紀70年代，C.McMahon等(deng)人對這一(yi)理(li)論進一(yi)步作(zuo)了(le)修正。他(ta)用(yong)Orowan判據(ju)，把局部塑(su)性(xing)變(bian)形(xing)的(de)(de)(de)(de)因素考(kao)慮進去(qu)，導(dao)出了(le)塑(su)性(xing)變(bian)形(xing)功Tp和(he)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)能r的(de)(de)(de)(de)關系。氫(qing)降(jiang)低(di)(di)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)能理(li)論存在(zai)的(de)(de)(de)(de)問題(ti)如下：一(yi)方(fang)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)，對氫(qing)吸(xi)(xi)附后(hou)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)能降(jiang)低(di)(di)的(de)(de)(de)(de)物理(li)本質尚不清楚(chu)；另一(yi)方(fang)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)，這一(yi)理(li)論忽視了(le)局部塑(su)性(xing)變(bian)形(xing)對斷(duan)裂(lie)過程的(de)(de)(de)(de)主(zhu)導(dao)作(zuo)用(yong)。

4. 弱鍵理論

弱鍵(jian)(jian)理論認為氫進(jin)人材(cai)料(liao)后能(neng)使材(cai)料(liao)的(de)原子間鍵(jian)(jian)力(li)降低(di)，原因是(shi)氫的(de)1s電子進(jin)入(ru)過渡族金(jin)屬的(de)d帶(dai)(dai)(dai)，使d帶(dai)(dai)(dai)電子密度升高，s帶(dai)(dai)(dai)與d帶(dai)(dai)(dai)重合部(bu)分增(zeng)大，因而(er)原子間排斥(chi)力(li)增(zeng)加，即鍵(jian)(jian)力(li)下(xia)降。該理論簡單直觀，容易被人們(men)接受。給而(er)實(shi)(shi)驗(yan)證據尚不充分，如材(cai)料(liao)的(de)彈(dan)(dan)性模量與鍵(jian)(jian)力(li)有關，但實(shi)(shi)驗(yan)并未發現氫對彈(dan)(dan)性模量有顯(xian)著的(de)影響(xiang)。此(ci)外，沒(mei)有3d帶(dai)(dai)(dai)的(de)鋁合金(jin)也(ye)能(neng)發生可逆(ni)氫脆，因此(ci)不可能(neng)有氫的(de)1s電子進(jin)入(ru)金(jin)屬的(de)d帶(dai)(dai)(dai)。

5.氫促(cu)進局部塑性變形(xing)機理

氫促進局部塑性變形機理的基礎是一系列斷口形貌研究結果和隨后的金相及透射電鏡原位跟蹤實驗結果。該理論認為，氫能促進位錯的增殖和運動，使得局部地區（如裂尖、無位錯區、位錯塞積群前端）的應力集中σ_y等于被氫降低了的原子鍵合力σ_th(H),從而導致氫致微裂紋在該處形核，原子鍵進人微裂紋就復合成H₂,產生氫壓，它能使微裂紋穩定化，同時也能協助局部應力使之解理擴展。該理論同時考慮了氫促進局部塑性變形，氫降低原子鍵合力以及氫壓作用。該理論表明，從微裂紋上看，氫促進位錯發射和運動；從宏觀上看，氫使門檻應力r_c(或應力強度因子）為

也使臨界斷裂應變下降，從而使材料變脆。因為只有當氫通過應力誘導擴散富集到等于臨界值C_th時，才會明顯促進局部塑性變形并使應變高度局部化，同時也使σ_th(H)明顯下降，從而在低的外應力下就導致開裂。