化學氣相沉積(CVD)工藝技術特點
化學(xue)氣相沉(chen)積(ji)(CVD)是用(yong)化學(xue)方法使反應氣體在零件(jian)基材(cai)表(biao)面(mian)(mian)發生化學(xue)反應而形成覆蓋層的(de)(de)方法。通常(chang)CVD是在高(gao)溫(800~1000℃)和常(chang)壓或(huo)低壓下(xia)進行的(de)(de),沉(chen)積(ji)裝(zhuang)置(zhi)如圖3-13所示。 a.反應氣體向工件(jian)表(biao)面(mian)(mian)擴散(san)并(bing)被(bei)吸(xi)附。 b.吸(xi)收工件(jian)表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)各種...